Kristalle aufgestockt

Wenn für bestimmte elektronische Bauelemente zwei verschiedene Halbleiter gebraucht werden, wird es schwierig. Die haben nämlich meist unverträgliche Kristallstrukturen. Lässt man etwa auf einer Siliziumeinkristallscheibe Germaniumkristalle wachsen, kommt es zu mechanischen Spannungen. Forscher der ETH Zürich und des CSEM Neuchâtel haben zusammen mit italienischen Kollegen vom Politecnico di Milano und von der Università di Milano Bicocca eine alternative Methode entwickelt, die solche Probleme vermeidet. Ihr Verfahren, das sie im Fachblatt »Science« (Bd. 335, S. 1330) vorstellen, erlaubt relativ dicke Strukturen und vermeidet Verbiegungen oder Risse durch Spannungen.

Dazu bauten sie ihre Halbleiterstruktur mit Hilfe der Fotolithographie aus einer regelmäßigen Anordnung einzelner Kristalle auf. Zuerst wurden tiefe Gräben in eine Siliziumscheibe geätzt. Auf den so entstandenen Säulen (links) ließen sie 50 Mikrometer hohe Germaniumkristalle aufwachsen (rechts). StS